Defects and radiation effects in semiconductors, 11. Oiso, Japan, 8 - 11 Sept. 1980: invited and contributed papers from the International Conference on Defects and Radiation Effects in Semiconductors

International Conference on Defects and Radiation Effects in Semiconductors

Bristol [u.a.]: Inst. of Physics, 1981

Konferenzschrift, Monographie, Teil eines Werkes, keine Angabe - XIV, 571 S. : graph. Darst.

Titel:	Defects and radiation effects in semiconductors, 11. Oiso, Japan, 8 - 11 Sept. 1980: invited and contributed papers from the International Conference on Defects and Radiation Effects in Semiconductors
Körperschaft:	International Conference on Defects and Radiation Effects in Semiconductors
Verwandtes Werk:	... — Weitere Bände Defects and radiation effects in semiconductors — Weitere Bände
Veröffentlichung:	Bristol [u.a.]: Inst. of Physics, 1981
Medientyp:	Konferenzschrift, Monographie, Teil eines Werkes
Datenträgertyp:	keine Angabe
Umfang:	XIV, 571 S. : graph. Darst.
ISBN:	0854981500
Schlagwort:	Halbleiter Gitterbaufehler Bestrahlung
Sonstiges:	Gesamttitelangabe: .. ; 59 Konferenzschrift: Oiso, 1980 Lokale Notationen: UIQ Fächer: Physik RVK: UP 3250 Dotierung, Strahleneinwirkung auf Halbleiter hbz Verbund-ID: HT002085309

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