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Growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as by metalorganic chemical vapor deposition using trimethylgallium and trimethylamine alane

Sundaram, V. S. ; Fraas, L. M. ; et al.
In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-01), Heft 11, S. 1047-1050
Online academicJournal

Titel:
Growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as by metalorganic chemical vapor deposition using trimethylgallium and trimethylamine alane
Autor/in / Beteiligte Person: Sundaram, V. S. ; Fraas, L. M. ; Samuel, C. C.
Link:
Zeitschrift: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-01), Heft 11, S. 1047-1050
Veröffentlichung: 1992
Medientyp: academicJournal
ISSN: 0361-5235 (print) ; 1543-186X (print)
DOI: 10.1007/bf02665882
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: Springer Nature Journals
  • Sprachen: English

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