AlxGa(1-x)N SINGLE CRYSTAL, METHOD OF PRODUCING AlxGa(1-x)N SINGLE CRYSTAL, AND OPTICAL COMPONENT

Arakawa, Satoshi ; Sakurada, Takashi ; et al.

2011

Online Patent

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Titel:	AlxGa(1-x)N SINGLE CRYSTAL, METHOD OF PRODUCING AlxGa(1-x)N SINGLE CRYSTAL, AND OPTICAL COMPONENT
Autor/in / Beteiligte Person:	Arakawa, Satoshi ; Sakurada, Takashi ; Yamamoto, Yoshiyuki ; Satoh, Issei ; Tanizaki, Keisuke ; Nakahata, Hideaki ; Mizuhara, Naho ; Miyanaga, Michimasa
Link:	Zum Volltext
Veröffentlichung:	2011
Medientyp:	Patent
Sonstiges:	Nachgewiesen in: USPTO Patent Applications Sprachen: English Document Number: 20110104438 Publication Date: May 5, 2011 Appl. No: 13/001749 Application Filed: June 25, 2009 Assignees: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (Osaka, JP) Claim: Claim: 2. The method of producing an AlxGa(1-x)N single crystal according to claim 1, wherein said step of growing includes the step of growing said AlxGa(1-x)N single crystal having a thickness greater than or equal to 300 μm. Claim: Claim: Claim: 5. The AlxGa(1-x)N single crystal according to claim 3, wherein a dislocation density is less than or equal to 1.3×105 cm−2. Claim: 6. The AlxGa(1-x)N single crystal according to claim 3, wherein an oxygen concentration is less than or equal to 5.8×1017 cm−3. Claim: 7. The AlxGa(1-x)N single crystal according to claim 3, including a main surface (10a) having a surface roughness RMS less than or equal to 100 nm. Claim: 8. The AlxGa(1-x)N single crystal according to claim 3, wherein a width or a diameter is greater than or equal to 5 mm, and a thickness is greater than or equal to 300 μm. Claim: 9. An optical component fabricated using the AlxGa(1-x)N single crystal set forth in claim 3. Current U.S. Class: 428/141 Current International Class: 30; 30; 30; 32; 32; 09

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