Numerical modeling of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET considering quantum mechanical effects

Padmanaban, B. ; Ramesh, R. ; et al.

In: Superlattices and Microstructures, Jg. 82 (2015-06-01), S. 40-54

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Titel:	Numerical modeling of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET considering quantum mechanical effects
Autor/in / Beteiligte Person:	Padmanaban, B. ; Ramesh, R. ; Nirmal, D. ; Sathiyamoorthy, S.
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Zeitschrift:	Superlattices and Microstructures, Jg. 82 (2015-06-01), S. 40-54
Veröffentlichung:	2015
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0749-6036 (electronic)
DOI:	10.1016/j.spmi.2015.01.021
Sonstiges:	Nachgewiesen in: ScienceDirect Sprachen: English

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