Static noise margin trade-offs for 6T-SRAM cell sizing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology

Olivera, Fabián ; Petraglia, Antonio

In: Microelectronics Journal, Jg. 78 (2018-08-01), S. 94-100

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Titel:	Static noise margin trade-offs for 6T-SRAM cell sizing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology
Autor/in / Beteiligte Person:	Olivera, Fabián ; Petraglia, Antonio
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Zeitschrift:	Microelectronics Journal, Jg. 78 (2018-08-01), S. 94-100
Veröffentlichung:	2018
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0026-2692 (electronic)
DOI:	10.1016/j.mejo.2018.06.001
Sonstiges:	Nachgewiesen in: ScienceDirect Sprachen: English

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