High-Performance 1-V IGZO Thin-Film Transistors Gated With Aqueous and Organic Electrolyte-Anodized AlxOy

Lin, X. ; Xin, Q. ; et al.

In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-02-01), Heft 2, S. 537-543

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Titel:	High-Performance 1-V IGZO Thin-Film Transistors Gated With Aqueous and Organic Electrolyte-Anodized AlxOy
Autor/in / Beteiligte Person:	Lin, X. ; Xin, Q. ; Kim, J. ; Jin, J. ; Zhang, J. ; Song, A.
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Zeitschrift:	IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-02-01), Heft 2, S. 537-543
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9383 (print) ; 1557-9646 (print)
DOI:	10.1109/TED.2022.3229286
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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