Bias Dependence of Total Ionizing Dose Response in UTBB FD-SOI Transistors

Zhang, R. ; Zheng, Q. ; et al.

In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-12-01), Heft 12, S. 2314-2323

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Titel:	Bias Dependence of Total Ionizing Dose Response in UTBB FD-SOI Transistors
Autor/in / Beteiligte Person:	Zhang, R. ; Zheng, Q. ; Cui, J. ; Li, Y. ; Yu, X. ; Lu, W. ; Guo, Q.
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Zeitschrift:	IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-12-01), Heft 12, S. 2314-2323
Veröffentlichung:	2022
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9499 (print) ; 1558-1578 (print)
DOI:	10.1109/TNS.2022.3219432
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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