Impact of the Backgate on the Performance of SOI UTBB nMOSFETs at Cryogenic Temperatures

Han, Yi ; Xi, Fengben ; et al.

In: Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS); (2021-09-01) S. 1-4

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Titel:	Impact of the Backgate on the Performance of SOI UTBB nMOSFETs at Cryogenic Temperatures
Autor/in / Beteiligte Person:	Han, Yi ; Xi, Fengben ; Allibert, Frederic ; Radu, Ionut ; Prucnal, Slawomir ; Bae, Jin-Hee ; Hoffmann-Eifert, Susanne ; Knoch, Joachim ; Grutzmacher, Detlev ; Zhao, Qing-Tai
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Quelle:	Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS); (2021-09-01) S. 1-4
Veröffentlichung:	2021
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-6654-3745-5 (print)
ISSN:	2472-9132 (print)
DOI:	10.1109/EuroSOI-ULIS53016.2021.9560182
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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