Formation of 0.5 /spl mu/m-period GaAs network structures for two-dimensional photonic crystals by selective area metal-organic vapor phase epitaxy

Akabori, M. ; Motohisa, J. ; et al.

In: IEEE International Symposium on Compound Semiconductors Proceedings of the IEEE Twenty-Seventh International Symposium on Compound Semiconductors; (2000) S. 191-196

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Titel:	Formation of 0.5 /spl mu/m-period GaAs network structures for two-dimensional photonic crystals by selective area metal-organic vapor phase epitaxy
Autor/in / Beteiligte Person:	Akabori, M. ; Motohisa, J. ; Fukui, T.
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Quelle:	IEEE International Symposium on Compound Semiconductors Proceedings of the IEEE Twenty-Seventh International Symposium on Compound Semiconductors; (2000) S. 191-196
Veröffentlichung:	2000
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	0-7803-6258-6 (print) ; 978-0-7803-6258-1 (print)
DOI:	10.1109/ISCS.2000.947152
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library Relation: 2000 IEEE International Symposium on Compound Semiconductors Proceedings of the IEEE Twenty-Seventh International Symposium on Compound Semiconductors

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