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Back-Gate Bias and Substrate Doping Influenced Substrate Effect in UTBB FD-SOI MOS Transistors: Analysis and Optimization Guidelines

Bhoir, M.S. ; Chauhan, Y.S. ; et al.
In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-02-01), Heft 2, S. 861-867
Online academicJournal

Titel:
Back-Gate Bias and Substrate Doping Influenced Substrate Effect in UTBB FD-SOI MOS Transistors: Analysis and Optimization Guidelines
Autor/in / Beteiligte Person: Bhoir, M.S. ; Chauhan, Y.S. ; Mohapatra, N.R.
Link:
Zeitschrift: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-02-01), Heft 2, S. 861-867
Veröffentlichung: 2019
Medientyp: academicJournal
ISSN: 0018-9383 (print) ; 1557-9646 (print)
DOI: 10.1109/TED.2018.2888799
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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