Epitaxial $\beta$ -Ga2O3 and $\beta$ -(AlxGa1−x)2O3/ $\beta$ -Ga2O3 Heterostructures Growth for Power Electronics

Miller, R. ; Alema, F. ; et al.

In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-11-01), Heft 4, S. 467-467

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Titel:	Epitaxial $\beta$ -Ga2O3 and $\beta$ -(AlxGa1−x)2O3/ $\beta$ -Ga2O3 Heterostructures Growth for Power Electronics
Autor/in / Beteiligte Person:	Miller, R. ; Alema, F. ; Osinsky, A.
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Zeitschrift:	IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-11-01), Heft 4, S. 467-467
Veröffentlichung:	2018
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0894-6507 (print) ; 1558-2345 (print)
DOI:	10.1109/TSM.2018.2873488
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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