Impact of AlGaN barrier layer on DC and AC characteristics of AlxGa1−xN/GaN MOSHEMT

Tiwari, Nishi ; Gupta, Suraj Kumar ; et al.

In: 1st International Conference on Electronics, Materials Engineering and Nano-Technology (IEMENTech); (2017-04-01) S. 1-4

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Titel:	Impact of AlGaN barrier layer on DC and AC characteristics of AlxGa1−xN/GaN MOSHEMT
Autor/in / Beteiligte Person:	Tiwari, Nishi ; Gupta, Suraj Kumar ; Mishra, S. N.
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Quelle:	1st International Conference on Electronics, Materials Engineering and Nano-Technology (IEMENTech); (2017-04-01) S. 1-4
Veröffentlichung:	2017
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-5386-1703-8 (print)
DOI:	10.1109/IEMENTECH.2017.8076958
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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