Performance analysis of gate material engineering in enhancement mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs

Adak, Sarosij ; Swain, Sanjit Kumar ; et al.

In: 3rd International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS); (2016-03-01) S. 89-92

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Titel:	Performance analysis of gate material engineering in enhancement mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs
Autor/in / Beteiligte Person:	Adak, Sarosij ; Swain, Sanjit Kumar ; Raj, Godwin ; Rahaman, Hafizur ; Sarkar, Chandan Kumar
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Quelle:	3rd International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS); (2016-03-01) S. 89-92
Veröffentlichung:	2016
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-5090-2309-7 (print)
DOI:	10.1109/ICDCSyst.2016.7570631
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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