Phase separation in bulk InGaN and quantum wells grown by low pressure MOCVD

Tran, C.A. ; Karlicek, R.F., Jr. ; et al.

In: Digest of the IEEE/LEOS Summer Topical Meeting: Vertical-Cavity Lasers/Technologies for a Global Information Infrastructure/WDM Components Technology/Advanced Semiconductor Lasers and Applications/Gallium Nitride Materials, Processing, and Devices (Cat. No.97TH8276); (1997) S. 29-30

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Titel:	Phase separation in bulk InGaN and quantum wells grown by low pressure MOCVD
Autor/in / Beteiligte Person:	Tran, C.A. ; Karlicek, R.F., Jr. ; Schurman, M. ; Salagaj, T. ; Thompson, A. ; Stall, R.
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Quelle:	Digest of the IEEE/LEOS Summer Topical Meeting: Vertical-Cavity Lasers/Technologies for a Global Information Infrastructure/WDM Components Technology/Advanced Semiconductor Lasers and Applications/Gallium Nitride Materials, Processing, and Devices (Cat. No.97TH8276); (1997) S. 29-30
Veröffentlichung:	1997
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	0-7803-3891-X (print) ; 978-0-7803-3891-3 (print)
DOI:	10.1109/LEOSST.1997.619248
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library Relation: 1997 Digest of the IEEE/LEOS Summer Topical Meeting: Vertical-Cavity Lasers/Technologies for a Global Information Infrastructure/WDM Components Technology/Advanced Semiconductor Lasers and Applications/Gallium Nitride Materials, Processing, and Devices (Cat. No.97TH8276)

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