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Dynamic Vpass Controlled Program Scheme and Optimized Erase Vth Control for High Program Inhibition in MLC NAND Flash Memories

Park, K. T. ; Song, Y. ; et al.
In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 45 (2010-10-01), Heft 10, S. 2165-2172
Online academicJournal

Titel:
Dynamic Vpass Controlled Program Scheme and Optimized Erase Vth Control for High Program Inhibition in MLC NAND Flash Memories
Autor/in / Beteiligte Person: Park, K. T. ; Song, Y. ; Kang, M. ; Lee, S. ; Lim, Y. H. ; Suh, K. D. ; Chung, C.
Link:
Zeitschrift: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 45 (2010-10-01), Heft 10, S. 2165-2172
Veröffentlichung: 2010
Medientyp: academicJournal
ISSN: 0018-9200 (print) ; 1558-173X (print)
DOI: 10.1109/JSSC.2010.2062311
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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