High Mobility and High N concentration of GaNxAs1-x Thin Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

Hamidah, I. ; Suhandi, A. ; et al.

In: IEEE PhotonicsGlobal@Singapore (IPGC); (2008-12-01) S. 1

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Titel:	High Mobility and High N concentration of GaNxAs1-x Thin Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
Autor/in / Beteiligte Person:	Hamidah, I. ; Suhandi, A. ; Setiawan, A. ; Arifin, P.
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Quelle:	IEEE PhotonicsGlobal@Singapore (IPGC); (2008-12-01) S. 1
Veröffentlichung:	2008
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-4244-2905-9 (print) ; 978-1-4244-3901-0 (print) ; 978-1-4244-2906-6 (print)
DOI:	10.1109/IPGC.2008.4781475
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library Relation: 2008 IEEE PhotonicsGlobal@Singapore (IPGC)

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