A scaled floating body cell (FBC) memory with high-k+metal gate on thin-silicon and thin-BOX for 16-nm technology node and beyond

Ban, Ibrahim ; Avci, Uygar E. ; et al.

In: Symposium on VLSI Technology; (2008-06-01) S. 92-93

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Titel:	A scaled floating body cell (FBC) memory with high-k+metal gate on thin-silicon and thin-BOX for 16-nm technology node and beyond
Autor/in / Beteiligte Person:	Ban, Ibrahim ; Avci, Uygar E. ; Kencke, David L. ; Chang, Peter L.D.
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Quelle:	Symposium on VLSI Technology; (2008-06-01) S. 92-93
Veröffentlichung:	2008
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-4244-1802-2 (print) ; 978-1-4244-1803-9 (print)
ISSN:	0743-1562 (print) ; 2158-9682 (print)
DOI:	10.1109/VLSIT.2008.4588575
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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