Demonstration of GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors grown with reduced toxicity all-metalorganic precursors

Ng, G.I. ; Pavlidis, D. ; et al.

In: Proceedings of 1994 IEEE 6th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM); (1994) S. 399-402

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Titel:	Demonstration of GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors grown with reduced toxicity all-metalorganic precursors
Autor/in / Beteiligte Person:	Ng, G.I. ; Pavlidis, D. ; Samelis, A. ; Pehlke, D. ; Garcia, J.C. ; Hirtz, J.P.
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Quelle:	Proceedings of 1994 IEEE 6th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM); (1994) S. 399-402
Veröffentlichung:	1994
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	0-7803-1476-X (print) ; 978-0-7803-1476-4 (print)
DOI:	10.1109/ICIPRM.1994.328254
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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