Effect of purity of the starting materials on the parameters of epitaxial GaAs, produced by MOCVD-method

Devyatykh, G.G. ; Moiseev, A.N. ; et al.

In: 10th International Crimean Microwave Conference. Microwave and Telecommunication Technology. Conference Proceedings; (2000) S. 441-442

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Titel:	Effect of purity of the starting materials on the parameters of epitaxial GaAs, produced by MOCVD-method
Autor/in / Beteiligte Person:	Devyatykh, G.G. ; Moiseev, A.N. ; Chilyasov, A.V. ; Kotkov, A.P. ; Ivanov, V.A. ; Vasiliev, L.S.
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Quelle:	10th International Crimean Microwave Conference. Microwave and Telecommunication Technology. Conference Proceedings; (2000) S. 441-442
Veröffentlichung:	2000
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	966-572-048-1 (print) ; 978-966-572-048-5 (print)
DOI:	10.1109/CRMICO.2000.1256174
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library Relation: 2000 10th International Crimean Microwave Conference. Microwave and Telecommunication Technology. Conference Proceedings

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