The Impacts of Different Electrode Structures on the Device Performance of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 Heterostructure Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors

Liu, Y. ; Wang, P. ; et al.

In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 1010-1017

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Titel:	The Impacts of Different Electrode Structures on the Device Performance of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 Heterostructure Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors
Autor/in / Beteiligte Person:	Liu, Y. ; Wang, P. ; Fan, W. ; Yang, T. ; Wang, Q.
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Zeitschrift:	IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 1010-1017
Veröffentlichung:	2024
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9383 (print) ; 1557-9646 (print)
DOI:	10.1109/TED.2023.3347213
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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