ChemInform Abstract: MOLECULAR LAYER EPITAXY

NISHIZAWA, J. ; ABE, H. ; et al.

In: Chemischer Informationsdienst ; volume 16, issue 38 ; ISSN 0009-2975 2199-2924, 1985

academicJournal

Die Wachstumsbedingungen für das Wachsen molekularer GaAs‐Schichten aus der Gasphase (AsH 3 und Trimethyl‐Gallium, TMG) werden bestimmt.

Titel:	ChemInform Abstract: MOLECULAR LAYER EPITAXY
Autor/in / Beteiligte Person:	NISHIZAWA, J. ; ABE, H. ; KURABAYASHI, T.
Link:	https://doi.org/10.1002/chin.198538002
Zeitschrift:	Chemischer Informationsdienst ; volume 16, issue 38 ; ISSN 0009-2975 2199-2924, 1985
Veröffentlichung:	Wiley, 1985
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1002/chin.198538002
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Wiley Online Library (Open Access Articles via Crossref) Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: http://onlinelibrary.wiley.com/termsAndConditions#vor

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