A continuous analytic I– Vmodel for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach

He, Jin ; Chan, Mansun ; et al.

In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266

academicJournal

Titel:	A continuous analytic I– Vmodel for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
Autor/in / Beteiligte Person:	He, Jin ; Chan, Mansun ; Zhang, Ganggang ; Zhang, Xing ; Wang, Yangyuan
Link:	https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/3/008
Zeitschrift:	Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
Veröffentlichung:	IOP Publishing, 2006
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0268-1242
DOI:	10.1088/0268-1242/21/3/008
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: unknown Document Type: article in journal/newspaper Language: unknown

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