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First CMOS Integration of Ultra Thin Body and BOX (UTB2) Structures on Bulk Direct Silicon Bonded (DSB)

Bidal, G. ; Boeuf, F. ; et al.
In: IEEE International Electron Devices ; https://hal.science/hal-00603803 ; IEEE International Electron Devices, Dec 2009, Balitimore, United States, 2009
Konferenz

Titel:
First CMOS Integration of Ultra Thin Body and BOX (UTB2) Structures on Bulk Direct Silicon Bonded (DSB)
Autor/in / Beteiligte Person: Bidal, G. ; Boeuf, F. ; Denorme, S. ; Laviron, C. ; Bourdelle, K. ; Loubet, N. ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Link:
Zeitschrift: IEEE International Electron Devices ; https://hal.science/hal-00603803 ; IEEE International Electron Devices, Dec 2009, Balitimore, United States, 2009
Veröffentlichung: HAL CCSD, 2009
Medientyp: Konferenz
Schlagwort:
  • Balitimore
  • United States
  • [PHYS.COND.CM-GEN]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Other [cond-mat.other]
  • Subject Geographic: Balitimore United States
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: BASE
  • Sprachen: English
  • Collection: HAL-CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
  • Document Type: conference object
  • Language: English
  • Relation: hal-00603803; https://hal.science/hal-00603803

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