MOVPE growth of aluminium gallium nitride ; Alumiinigalliumnitridin valmistus MOVPE-menetelmällä

Svensk, Olli ; Lang, Teemu ; et al.

In: URN:NBN:fi:aalto-2020120451426; (2005)

Hochschulschrift

Tämä diplomityö käsittelee alumiinigalliumnitridin epitaktista valmistusta galliumnitridikerroksen päälle. Työ tehtiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratoriossa. AlGaN-kerrokset valmistettiin MOVPE-laitteistolla ja niiden ominaisuuksien tutkimiseen käytettiin MOVPE-laitteiston valmistuksenaikaista refiektometriä, röntgendiffraktometriä, atomivoimamikroskooppia ja fotoluminesenssimittalaitteistoa. Kiteiden alumiinipitoisuuden todettiin olevan TMAl- ja TMGa -lähdeaineiden molaarista virtaussuhdetta alhaisempi. Kiteen alumiinipitoisuuden arviointia ei voitu suorittaa ainoastaan molaaristen kaasuvirtausten suhteiden perusteella, koska muut valmistusparametrit vaikuttavat alumiinin osuuteen merkittävästi. Lähdeaineiden V/III-suhteen suurentaminen johti kalvon alumiinipitoisuuden nousuun. AlGaN-kerrosten kasvun todettiin olevan reaktiivisten ryhmän III aineiden määrän rajoittamaa V/III-suhdevälillä 1250 - 2750. Korkeilla alumiiniosuuksilla kerroksissa havaittiin selviä halkeamia. Halkeamia lukuun ottamatta V/III-suhteella ei todettu olevan vaikutusta kalvon pinnan morfologiaan. Valmistuslämpötilan nostamisen todettiin hidastavan kalvojen kasvunopeutta lämpötilavälillä 940 - 1300 °C. Kerroksen alumiinipitoisuus nousi valmistuslämpötilan noustessa. Tasaisin pinnan morfologia saavutettiin l240°C:n lämpötilassa. 590 - 630 °C:n lämpötilassa AlGaN-kalvot kasvoivat saarekekasvuna. Alumiinipitoisuuden noustessa kerrosten kidelaatu heikkeni merkittävästi.

Titel:	MOVPE growth of aluminium gallium nitride ; Alumiinigalliumnitridin valmistus MOVPE-menetelmällä
Autor/in / Beteiligte Person:	Svensk, Olli ; Lang, Teemu ; korkeakoulu, Teknillinen ; Helsinki University of Technology ; Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto ; Sopanen, Markku ; Aalto-yliopisto ; University, Aalto
Link:	https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/92591
Quelle:	URN:NBN:fi:aalto-2020120451426; (2005)
Veröffentlichung:	2005
Medientyp:	Hochschulschrift
Schlagwort:	aluminium gallium nitride MOVPE gallium nitride two-step growth method sapphire in situ reflectrometry AFM XRD photoluminescence alumiinigalliumnitridi galliumnitridi kaksivaiheinen valmistusmenetelmä safiiri reflektometri fotoluminesenssi
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Finnish Collection: Aalto University Publication Archive (Aaltodoc) / Aalto-yliopiston julkaisuarkistoa Document Type: master thesis Language: Finnish Rights: closedAccess

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.