A two-dimensional analytical modeling for channel potential and threshold voltage of short channel triple material symmetrical gate Stack (TMGS) DG-MOSFET

Tripathi, Shweta

In: Chinese Physics B, Jg. 25 (2016), Heft 10, S. 108503

academicJournal

Titel:	A two-dimensional analytical modeling for channel potential and threshold voltage of short channel triple material symmetrical gate Stack (TMGS) DG-MOSFET
Autor/in / Beteiligte Person:	Tripathi, Shweta
Link:	https://doi.org/10.1088/1674-1056/25/10/108503
Zeitschrift:	Chinese Physics B, Jg. 25 (2016), Heft 10, S. 108503
Veröffentlichung:	IOP Publishing, 2016
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1674-1056
DOI:	10.1088/1674-1056/25/10/108503
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: unknown Document Type: article in journal/newspaper Language: unknown Rights: http://iopscience.iop.org/info/page/text-and-data-mining ; http://iopscience.iop.org/page/copyright

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