Uma contribuição para caracterização de níveis de energia de impurezas em AlxGa1-xAs tipo n. ; A contribution of characterization impurities bandgap in AlxGa1-xAs type n.

Neste trabalho apresentamos medidas de fotocondutividade, decaimento da fotocondutividade persistente, resistência em função da temperatura em amostras de AlxGa1-xAs de gap direto e indireto, dopadas com Si. Comparamos as teorias de Brooks-Herring e Takimoto, ambas referentes ao espalhamento por impurezas ionizadas, e sua aplicabilidade para nosso material. Interpretamos a presença de um estado de energia intermediário nos cálculos da energia de ativação baseado nos resultados de concentração de elétrons livres em função da temperatura .como devido ao defeito D-. Nos resultados de decaimento da fotocondutividade persistente no intervalo de 80 - 100K, contamos com a contribuição do espalhamento por dipolos e propomos o par d+ - VAS- como os responsáveis pela formação destes dipolos e conseqüente melhoria do ajuste da simulação numérica. ; In this work, we show results of photoconductivity, decay of persistent photoconductivity, resistance x temperature in Si doped direct and indirect bandgap AlxGa1-xAs. We compare Brooks-Herring and Takimoto theories, both in reference to ionized impurity scattering applied to our material. We interpret the intermediate state in our calculation of activation energy as a D- defect. In the numerical simulation of decay of persistent photoconductivity in the range 80-100 K, we propose the dipole pair d+ - VAS- responsible for the fitting improvement, when the dipole scattering is taken into account.