Luminescence Study of Ion-Implanted and MBE-Grown Er-Doped GaAs and Al x Ga 1-x As

Colon, Jose E.

In: Theses and Dissertations, 1993

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The excitation and de-excitation mechanisms of the 1.54 microns emissions, from ion implanted and MBE grown GaAs:Er and AlxGa1-xAs:Er, were studied through luminescence experiments. Experimental techniques included photoluminescence, time resolved photoluminescence, and selective excitation photoluminescence. The Er3+ emissions were studied as a function of Er concentration, aluminum mole friction, n- and p-type doping level, and annealing temperature. In addition oxygen co-doping studies were done in order to determine the role played by oxygen in the Er3+ luminescence.

Titel:	Luminescence Study of Ion-Implanted and MBE-Grown Er-Doped GaAs and Al x Ga 1-x As
Autor/in / Beteiligte Person:	Colon, Jose E.
Link:	https://scholar.afit.edu/etd/6882 Volltext
Zeitschrift:	Theses and Dissertations, 1993
Veröffentlichung:	AFIT Scholar, 1993
Medientyp:	academicJournal
Schlagwort:	Gallium arsenide Photoluminescence Ion implantation Doped semiconductors Semiconductor and Optical Materials
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: unknown Collection: AFTI Scholar (Air Force Institute of Technology) Document Type: text File Description: application/pdf Language: unknown

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