LP-MOCVD growth of ternary BxGa1−xAs epilayers on (001)GaAs substrates using TEB, TMGa and AsH3
In: Microelectronics Journal, Jg. 39 (2008), Heft 12, S. 1678-1682
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LP-MOCVD growth of ternary BxGa1−xAs epilayers on (001)GaAs substrates using TEB, TMGa and AsH3
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Autor/in / Beteiligte Person: | Wang, Qi ; Ren, Xiaomin ; Wang, Feihua ; Feng, Jianyou ; Lv, Jihe ; Zhou, Jing ; Cai, Shiwei ; Huang, Hui ; Huang, Yongqing |
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Zeitschrift: | Microelectronics Journal, Jg. 39 (2008), Heft 12, S. 1678-1682 |
Veröffentlichung: | Elsevier BV, 2008 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0026-2692 |
DOI: | 10.1016/j.mejo.2008.02.017 |
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