原子層磊晶技術應用在氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井製作之研究 ; Preparation of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells by Atomic Layer Epitaxy Technique

洪儒生

2003

report

執行機構：國立臺灣科技大學化學工程系 ; 計畫編號：NSC92-2622-E011-021-CC3 ; 研究期間：9212 ~ 9311 ; 研究經費(仟元)：472 ; 本實驗中，我們利用原子層磊晶法 (ALE)來成長氮化鎵(GaN)以及氮化鎵銦(InGaN)三元混晶薄膜。使用三甲基鎵 (TMG)，三甲基銦(TMIn)與氨氣(NH3)作為反應原料，並選用己成長 n 型氮化鎵的藍寶石晶片為基材，探討此一方法成長品質良好的氮化鎵的製程溫度下限。實驗結果發現，在Ⅴ /Ⅲ族進料比為 1200 下，反應溫度為 450℃時，所成長出之薄膜有多晶化的情況發生; 當溫度逐漸升高到 675℃時，則可成長出單晶的 GaN(0002)磊晶膜。此外，氮化鎵銦(InGaN)三元混晶的成長是以鎵銦先驅物同時供給方式，在 675℃及[TMIn]/[TMGa]=12 的條件下，可成長出銦含量約為 11%的氮化鎵銦層，推測銦含量不高可能是由於三甲基銦的表面吸附性較三甲基鎵低所造成。

Titel:	原子層磊晶技術應用在氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井製作之研究 ; Preparation of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells by Atomic Layer Epitaxy Technique
Autor/in / Beteiligte Person:	洪儒生
Link:	http://ir.lib.ntust.edu.tw/handle/987654321/3515
Veröffentlichung:	2003
Medientyp:	report
Schlagwort:	原子層磊晶氮化鎵氮化鎵銦
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Chinese, English Collection: National Taiwan University of Science and Technology Repository (NTUSTR) / 台灣科技大學 Document Type: report Language: Chinese ; English

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