AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN TABAKALI YARIİLETKEN YAPILARIN OPTİK ve YAPISAL ÖZELLİKLERİNİN TAYİNİ
In: 5dc57eef-f1c0-4e15-8f10-9d98cb761796;; (2007)
Hochschulschrift
Zugriff:
Bu çalısmada elektronik ve opto-elektronik cihazların üretilmesinde kullanılan AlxGa1-xAs/GaAs tek kuantum kuyulu (QW), AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1-xN/GaN çoklu kuantum kuyulularının (MQWs) büyütülerek, optik ve yapısal özellikleri incelendi. AlxGa1-xAs/GaAs (100) LED Moleküler Demet Epitaksi (MBE) ile InxGa1-xN/GaN LED ise Metal Organik Buhar Faz Birikimi (MOVCD) teknikleri ile büyütüldü. Büyütülen AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1-xN/GaN yarıiletkenlerinin kristal yapı analizi ve optik özellikleri Yüksek Çözünürlüklü X-Isını Kırınımı (HR-XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), Spektroskopik Elipsometre (SE) ve Fotolüminesans (PL) sistemleriyle belirlendi. ; In this study, optical and structural properties of AlxGa1-xAs/GaAs single quantum well (SQW), AlxGa1-xAs/GaAs and InxGa1-xN/GaN multi quantum wells (MQWs) are analyzed by growing, which are used in the production of electronic and optoelectronic devices. AlxGa1-xAs/GaAs (100) LED are grown by Molecular Beam Epitaxy (V80H-MBE), and InxGa1-xN/GaN LED are grown by using Metal Organic Vapour Chemical Deposition (MOVCD). Crystal Structure analyse and optical properties of grown AlxGa1-xAs/GaAs and InxGa1-xN/GaN semiconductors and determined by high resolution X-Ray diffraction (HRXRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Spectroscopic Elipsometry (SE), and photoluminescence (PL) systems.
Titel: |
AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN TABAKALI YARIİLETKEN YAPILARIN OPTİK ve YAPISAL ÖZELLİKLERİNİN TAYİNİ
|
---|---|
Autor/in / Beteiligte Person: | ÖZÇELİK, SÜLEYMAN |
Link: | |
Quelle: | 5dc57eef-f1c0-4e15-8f10-9d98cb761796;; (2007) |
Veröffentlichung: | 2007 |
Medientyp: | Hochschulschrift |
Sonstiges: |
|