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Comparative Equilibrium Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) GaAs Growth Using Trimethylgallium (TMGa) with Arsine or Trimethylarsine (TMAs)

Abril, Evaristo José ; Alonso, Alonso ; et al.
In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992), Heft 6R, S. 1721
academicJournal

Titel:
Comparative Equilibrium Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) GaAs Growth Using Trimethylgallium (TMGa) with Arsine or Trimethylarsine (TMAs)
Autor/in / Beteiligte Person: Abril, Evaristo José ; Alonso, Alonso ; Lopez, Miguel ; Miguel Aguilar, Miguel Aguilar
Link:
Zeitschrift: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992), Heft 6R, S. 1721
Veröffentlichung: IOP Publishing, 1992
Medientyp: academicJournal
ISSN: 0021-4922
DOI: 10.1143/jjap.31.1721
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: BASE
  • Sprachen: unknown
  • Document Type: article in journal/newspaper
  • Language: unknown
  • Rights: https://iopscience.iop.org/page/copyright ; https://iopscience.iop.org/info/page/text-and-data-mining

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