Van der Waals epitaxy by MOCVD of III-Nitrides using two-dimensional hexagonal boron nitride : applications and persperctives

Vuong, Thi Quynh Phuong ; Mballo, Adama ; et al.

In: Workshop Wide bandgap materials ; https://cnrs.hal.science/hal-03477812 ; Workshop Wide bandgap materials, May 2021, Wuhan, China, 2021

Konferenz

Wie komme ich dran?

conférence invitée ; International audience

Titel:	Van der Waals epitaxy by MOCVD of III-Nitrides using two-dimensional hexagonal boron nitride : applications and persperctives
Autor/in / Beteiligte Person:	Vuong, Thi Quynh Phuong ; Mballo, Adama ; Karrakchou, Soufiane ; Srivastava, Ashutosh ; Gujrati, Rajat ; Adjmi, Hibat ; Sundaram, Suresh ; Voss, Paul ; Salvestrini, Jean-Paul ; Ougazzaden, Abdallah ; Georgia Tech Lorraine Metz ; Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC) ; Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)
Link:	https://cnrs.hal.science/hal-03477812
Zeitschrift:	Workshop Wide bandgap materials ; https://cnrs.hal.science/hal-03477812 ; Workshop Wide bandgap materials, May 2021, Wuhan, China, 2021
Veröffentlichung:	HAL CCSD, 2021
Medientyp:	Konferenz
Schlagwort:	Wuhan China [SPI]Engineering Sciences [physics] Subject Geographic: Wuhan China
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Université de Franche-Comté (UFC): HAL Document Type: conference object Language: English Relation: hal-03477812; https://cnrs.hal.science/hal-03477812

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