Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition

Haider, A. ; Kizir, S. ; et al.

In: 2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2016 - Conference Proceedings, 2016

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GaN thin films grown by hollow cathode plasma-assisted atomic layer deposition (HCPA-ALD) at two different substrate temperatures (250 and 450 °C) are compared. Effect of two different Ga source materials named as trimethylgallium (TMG) and triethylgallium (TEG) on GaN growth and film quality is also investigated and reviewed. Films were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, spectroscopic ellipsometery, and grazing incidence X-ray diffraction. GaN film deposited by TMG revealed better structural, chemical, and optical properties in comparison with GaN film grown with TEG precursor. When compared on basis of different substrate temperature, GaN films grown at higher substrate temperature revealed better structural and optical properties. © 2016 IEEE.

Titel:	Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
Autor/in / Beteiligte Person:	Haider, A. ; Kizir, S. ; Deminskyi, P. ; Tsymbalenko, O. ; S.A., Leghari ; Biyikli, N. ; Alevli, M. ; Gungor, N.
Link:	Zum Volltext https://doi.org/10.1109/ELNANO.2016.7493030 Volltext
Zeitschrift:	2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2016 - Conference Proceedings, 2016
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2016
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-5090-1431-6 (print) ; 1-5090-1431-4 (print)
DOI:	10.1109/ELNANO.2016.7493030
Schlagwort:	Atomic layer deposition GaN Low temperature growth Atoms Cathodes Deposition Electrodes Electron sources Film growth Gallium alloys Gallium nitride Nanotechnology Optical properties Pulsed laser deposition Substrates Temperature Thin films X ray diffraction X ray photoelectron spectroscopy Different substrates Grazing incidence X-ray diffraction Hollow cathodes Structural and optical properties Substrate temperature Triethyl galliums Trimethylgallium
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Bilkent University: Institutional Repository Document Type: conference object File Description: application/pdf Language: English

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