Impact of supercoupling effect on mobility enhancement in UTBB SOI in dynamic threshold mode

Sasaki, K. ; Navarro, C. ; et al.

In: 2015 S3S Proceedings ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.science/hal-02004218 ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2015, Rohnert Park, United States. pp.9a.5, ⟨10.1109/S3S.2015.7333547⟩, 2015

Konferenz

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session: Advanced Processes and Characterization ; International audience ; We investigate the supercoupling effect in N and P-type UTBB SOI transistors with dynamic threshold operation. The transconductance and mobility are analyzed for two silicon film thicknesses in conventional (grounded back gate) and dynamic threshold (eDT: VG2=kVG1) modes. Experiments show that the supercoupling enhances the volume inversion effect and improves the impact of the k-factor, leading to higher transconductance and mobility.

Titel:	Impact of supercoupling effect on mobility enhancement in UTBB SOI in dynamic threshold mode
Autor/in / Beteiligte Person:	Sasaki, K. ; Navarro, C. ; Bawedin, M. ; Cristoloveanu, S. ; Martino, J. ; Andrieu, F. ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; LSI/PSI/USP - University of Sao Paulo - Brazil ; Universidade de São Paulo = University of São Paulo (USP) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) ; ANR-11-JS03-0001,AMNESIA,Dispositifs Mémoires Nanométriques Innovants pour Applications Ultra Basse Consommation(2011)
Link:	https://hal.science/hal-02004218 https://doi.org/10.1109/S3S.2015.7333547
Zeitschrift:	2015 S3S Proceedings ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.science/hal-02004218 ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2015, Rohnert Park, United States. pp.9a.5, ⟨10.1109/S3S.2015.7333547⟩, 2015
Veröffentlichung:	HAL CCSD ; IEEE, 2015
Medientyp:	Konferenz
DOI:	10.1109/S3S.2015.7333547
Schlagwort:	Rohnert Park United States mobility transconductance dynamic threshold supercoupling UTBB SOI [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Subject Geographic: Rohnert Park United States
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Université Savoie Mont Blanc: HAL Document Type: conference object Language: English Relation: hal-02004218; https://hal.science/hal-02004218

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