Zum Hauptinhalt springen

Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage

Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; et al.
In: Journal of Crystal Growth ; volume 490, page 56-60 ; ISSN 0022-0248, 2018
academicJournal

Titel:
Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage
Autor/in / Beteiligte Person: Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; Chen, Yingda ; Zhang, Lingxia ; Chen, Zimin ; Wu, Zhisheng ; Wang, Gang ; Jiang, Hao ; National key R&D Program of China ; State Key Program of National Natural Science Foundation of China ; Science and Technology Major Project of Guang-dong Province ; Guangdong Natural Science Foundation
Link:
Zeitschrift: Journal of Crystal Growth ; volume 490, page 56-60 ; ISSN 0022-0248, 2018
Veröffentlichung: Elsevier BV, 2018
Medientyp: academicJournal
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.03.020
Schlagwort:
  • Materials Chemistry
  • Inorganic Chemistry
  • Condensed Matter Physics
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: BASE
  • Sprachen: English
  • Collection: ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref)
  • Document Type: article in journal/newspaper
  • Language: English
  • Rights: https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

oder
oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

oder
oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -