Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2/H2 excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power

Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.

In: Journal of Crystal Growth ; volume 391, page 97-103 ; ISSN 0022-0248, 2014

academicJournal

Titel:	Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2/H2 excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power
Autor/in / Beteiligte Person:	Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; Ishikawa, Kenji ; Oda, Osamu ; Takeda, Keigo ; Sekine, Makoto ; Amano, Hiroshi ; Hori, Masaru
Link:	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.01.014 https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0022024814000189?httpAccept=text/xml https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0022024814000189?httpAccept=text/plain
Zeitschrift:	Journal of Crystal Growth ; volume 391, page 97-103 ; ISSN 0022-0248, 2014
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2014
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1016/j.jcrysgro.2014.01.014
Schlagwort:	Materials Chemistry Inorganic Chemistry Condensed Matter Physics
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref) Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/

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