Thin-body ESD protections in 28nm UTBB-FDSOI: From static to transient behavior

Solaro, Yohann ; Fonteneau, Pascal ; et al.

In: Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2014 ; Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD) 2014 ; https://hal.science/hal-02003958 ; Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD) 2014, Sep 2014, Tucson, United States. pp.7-12, 2014

Konferenz

Wie komme ich dran?

International audience ; Innovative Ultra-Thin Body and Buried Oxide FDSOI protections (BBC-T and Z2-FET) are characterized and analyzed in order to assess the CDM time domain behavior. In addition to static (leakage and triggering) control, it is found that front and back gate coupling is a very efficient way to improve the transient responses of the proposed devices.

Titel:	Thin-body ESD protections in 28nm UTBB-FDSOI: From static to transient behavior
Autor/in / Beteiligte Person:	Solaro, Yohann ; Fonteneau, Pascal ; Legrand, Charles-Alexandre ; Marin-Cudraz, David ; Passieux, Jérémy ; Guyader, Pascal ; Clément, Laurent-Renaud ; Fenouillet-Beranger, Claire ; Ferrari, Philippe ; Cristoloveanu,, Sorin ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) ; Electronic ISBN: 978-1-58537-257-7
Link:	https://hal.science/hal-02003958
Zeitschrift:	Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2014 ; Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD) 2014 ; https://hal.science/hal-02003958 ; Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD) 2014, Sep 2014, Tucson, United States. pp.7-12, 2014
Veröffentlichung:	HAL CCSD ; IEEE, 2014
Medientyp:	Konferenz
Schlagwort:	Tucson United States [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Subject Geographic: Tucson United States
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Université Savoie Mont Blanc: HAL Document Type: conference object Language: English Relation: hal-02003958; https://hal.science/hal-02003958

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