TEGa, TBAs氣相成長GaAs薄膜反應機制之研究 ; Kinetic study of epitaxial growth of GaAs using TEGa and TBAs

張峻榮 ; Zhang, Jun-Rong ; et al.

1991

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本文主要探討以 TEGa 和 TBAs 等新型前導物成長砷化鎵薄膜的反應動力學。在溫度 450℃至 500℃附近最大磊晶效率遠低於質傳速率的限制。然而，2000 至 7000 micron/mole 的成長效率已屬合理，與TMGa 和Arsine 的成長效率相近。我們也詳細探討在氣相中可能形成加合物和後續的寄生反應。而低溫特性所呈現35.6 Kacl/ mole之表面反應活化能和DEGa在砷化鎵表面釋出乙烯的脫附活化能相當，這顯示低溫磊晶受制於三乙鎵在表面的不完全分解。另外，我們採用Hall量測和冷激光量測來分析薄膜品質，試片的電子遷移率最高可達6859 cm□/Vsec。顯然，TEGa和TBAs 這一組新型前導物非常適合砷化鎵單晶薄膜之磊晶應用。

Titel:	TEGa, TBAs氣相成長GaAs薄膜反應機制之研究 ; Kinetic study of epitaxial growth of GaAs using TEGa and TBAs
Autor/in / Beteiligte Person:	張峻榮 ; Zhang, Jun-Rong ; 陳衛國 ; Chen, Wei-Guo ; 電子物理系所
Link:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804429004 Volltext
Veröffentlichung:	1991
Medientyp:	Hochschulschrift
Schlagwort:	反應機制成長效率薄膜電子物理電子工程 ELECTROPHYSICS ELECTRONIC-ENGINEERING
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Chinese Collection: National Chiao Tung University: NCTU Institutional Repository / 國立交通大學機構典藏 Document Type: thesis Language: Chinese

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