GaN生长速率的研究

金瑞琴 ; 赵德刚 ; et al.

In: 半导体学报; 金瑞琴;赵德刚;刘建平;张纪才;杨辉.GaN生长速率的研究,半导体学报,2005,26(4):726-729;; (2005)

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采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同.GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关.实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应.预反应的程度与TMGa的流量成正比.

Titel:	GaN生长速率的研究
Autor/in / Beteiligte Person:	金瑞琴 ; 赵德刚 ; 刘建平 ; 张纪才 ; 杨辉
Link:	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17077
Quelle:	半导体学报; 金瑞琴;赵德刚;刘建平;张纪才;杨辉.GaN生长速率的研究,半导体学报,2005,26(4):726-729;; (2005)
Veröffentlichung:	2005
Medientyp:	report
Schlagwort:	光电子学
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Chinese Collection: Institute of Semiconductors: SEMI OpenIR (Chinese Academy of Sciences) / 中国科学院半导体研究所机构知识库 Document Type: report Language: Chinese

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