A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects

Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar

In: Solid-State Electronics ; volume 95, page 52-60 ; ISSN 0038-1101, 2014

academicJournal

Titel:	A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
Autor/in / Beteiligte Person:	Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
Link:	https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.03.004 https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110114000343?httpAccept=text/xml https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110114000343?httpAccept=text/plain
Zeitschrift:	Solid-State Electronics ; volume 95, page 52-60 ; ISSN 0038-1101, 2014
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2014
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1016/j.sse.2014.03.004
Schlagwort:	Materials Chemistry Electrical and Electronic Engineering Condensed Matter Physics Electronic, Optical and Magnetic Materials
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref) Document Type: article in journal/newspaper Language: English

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