Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs

Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.

In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008), Heft 12, S. 1867-1871

academicJournal

Titel:	Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
Autor/in / Beteiligte Person:	Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; Jiménez, David ; Iñiguez, Benjamin
Link:	https://doi.org/10.1016/j.sse.2008.06.056 https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110108003092?httpAccept=text/xml https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110108003092?httpAccept=text/plain
Zeitschrift:	Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008), Heft 12, S. 1867-1871
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2008
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0038-1101
DOI:	10.1016/j.sse.2008.06.056
Schlagwort:	Materials Chemistry Electrical and Electronic Engineering Condensed Matter Physics Electronic, Optical and Magnetic Materials
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref) Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/

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