Growth of GaAs and GaP from TMG: A Comparison

Eyers, Markus ; Sato, Michio

In: MRS Proceedings ; volume 240 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1991

academicJournal

In the growth of GaAs and GaP from TMG strong differences are observed. Although the shape of the Arrhenius plot of the growth rate is similar, at low deposition temperatures the GaP growth rate is lower than that of GaAs. Additionally, more carbon is incorporated into GaP than into GaAs. Mass spectrometric studies on methyl desorption show that As has a stronger ability to aid the breaking of the final Ga-carbon bond than P.

Titel:	Growth of GaAs and GaP from TMG: A Comparison
Autor/in / Beteiligte Person:	Eyers, Markus ; Sato, Michio
Link:	https://doi.org/10.1557/proc-240-27 https://www.cambridge.org/core/services/aop-cambridge-core/content/view/S1946427400502590
Zeitschrift:	MRS Proceedings ; volume 240 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1991
Veröffentlichung:	Springer Science and Business Media LLC, 1991
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1557/proc-240-27
Schlagwort:	General Engineering
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: https://www.cambridge.org/core/terms

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