Enhanced lateral growth of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing periodically pulsed-TMGa flows

Qiu, Xinjia ; Lv, Zesheng ; et al.

In: Superlattices and Microstructures ; volume 131, page 59-65 ; ISSN 0749-6036, 2019

academicJournal

Titel:	Enhanced lateral growth of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing periodically pulsed-TMGa flows
Autor/in / Beteiligte Person:	Qiu, Xinjia ; Lv, Zesheng ; He, Yingyou ; Wu, Zhisheng ; Jiang, Hao ; National key R&D Program of China ; National Natural Science Foundation of China ; Guangdong Natural Science Foundation
Link:	https://doi.org/10.1016/j.spmi.2019.05.034 https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0749603619306470?httpAccept=text/xml https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0749603619306470?httpAccept=text/plain
Zeitschrift:	Superlattices and Microstructures ; volume 131, page 59-65 ; ISSN 0749-6036, 2019
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2019
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1016/j.spmi.2019.05.034
Schlagwort:	Electrical and Electronic Engineering Condensed Matter Physics General Materials Science
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref) Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/

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