Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting

Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.

In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 137-142

academicJournal

Titel:	Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
Autor/in / Beteiligte Person:	Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; Baumgartner, Oskar ; Selberherr, Siegfried
Link:	https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.12.008 https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110109003517?httpAccept=text/xml https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110109003517?httpAccept=text/plain
Zeitschrift:	Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 137-142
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2010
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0038-1101
DOI:	10.1016/j.sse.2009.12.008
Schlagwort:	Materials Chemistry Electrical and Electronic Engineering Condensed Matter Physics Electronic, Optical and Magnetic Materials
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref) Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/

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