Carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs using CHyX4 − y, TMG and AsH3
In: Journal of Crystal Growth, Jg. 110 (1991), Heft 3, S. 405-414
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Carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs using CHyX4 − y, TMG and AsH3
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Autor/in / Beteiligte Person: | Buchan, N.I. ; Kuech, T.F. ; Scilla, G. ; Cardone, F. |
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Zeitschrift: | Journal of Crystal Growth, Jg. 110 (1991), Heft 3, S. 405-414 |
Veröffentlichung: | Elsevier BV, 1991 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0022-0248 |
DOI: | 10.1016/0022-0248(91)90276-b |
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