Design
In: VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01719493 ; VLSI Technology, 2016
Konferenz
Zugriff:
cited By 4 ; International audience ; We report on the main local layout effect in 14nm Ultra-Thin Buried oxide and Body Fully Depleted Silicon On Insulator (UTBB-FDSOI) CMOS technology [1]. This effect is demonstrated by Nano-Beam Diffraction to be directly induced by the strain in the SiGe channel and reproduced by an accurate electrical compact model. An original continuous-RX design optimizes the stress management, maintaining longitudinal stress component while relaxing the transverse one. A 28% ring oscillator delay improvement is experimentally demonstrated at same leakage for 1-finger inverter at VDD=0.8V supply voltage and a frequency gain up to 15% is simulated in a critical path of an A9 core. © 2016 IEEE.
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Design
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| Autor/in / Beteiligte Person: | Berthelon, Rémy ; Andrieu, F. ; Josse, E. ; Bingert, R. ; Weber, O. ; Serret, E. ; Aurand, A. ; Delmedico, S. ; Farys, V. ; Bernicot, C. ; Bechet, E. ; Bernard, E. ; Poiroux, T. ; Rideau, D. ; Scheer, P. ; Baylac, E. ; Perreau, P. ; Jaud, M.A. ; Lacord, J. ; Petitprez, E. ; Pofelski, A. ; Ortolland, S. ; Sardin, P. ; Dutartre, D. ; Claverie, Alain ; Vinet, M. ; Marin, J.C. ; Haond, M. ; STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) ; Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM) ; Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES) ; Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3) ; Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599) ; Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP) ; Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3) ; Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP) ; Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse) ; Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3) ; Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA) |
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| Zeitschrift: | VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01719493 ; VLSI Technology, 2016 |
| Veröffentlichung: | HAL CCSD ; Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2016 |
| Medientyp: | Konferenz |
| DOI: | 10.1109/VLSIT.2016.7573425 |
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