Class AB vs. class J 5G power amplifier in 28-nm UTBB FD-SOI technology for high efficiency operation

Ayoub, Mohammad Jaafar ; Alloush, Mostafa ; et al.

In: 2017 29th International Conference on Microelectronics (ICM) ; https://hal.science/hal-01717702 ; 2017 29th International Conference on Microelectronics (ICM), Dec 2017, Beirut, France. ⟨10.1109/ICM.2017.8268876⟩, 2017

Konferenz

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International audience

Titel:	Class AB vs. class J 5G power amplifier in 28-nm UTBB FD-SOI technology for high efficiency operation
Autor/in / Beteiligte Person:	Ayoub, Mohammad Jaafar ; Alloush, Mostafa ; Mohsen, Ali ; Harb, Adnan ; Deltimple, Nathalie ; Serhane, Abraham ; Lebanese International University (LIU) ; Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS) ; Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Link:	https://hal.science/hal-01717702 https://doi.org/10.1109/ICM.2017.8268876
Zeitschrift:	2017 29th International Conference on Microelectronics (ICM) ; https://hal.science/hal-01717702 ; 2017 29th International Conference on Microelectronics (ICM), Dec 2017, Beirut, France. ⟨10.1109/ICM.2017.8268876⟩, 2017
Veröffentlichung:	HAL CCSD ; IEEE, 2017
Medientyp:	Konferenz
DOI:	10.1109/ICM.2017.8268876
Schlagwort:	Beirut France [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Subject Geographic: Beirut France
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Archive ouverte HAL (Hyper Article en Ligne, CCSD - Centre pour la Communication Scientifique Directe) Document Type: conference object Language: English Relation: hal-01717702; https://hal.science/hal-01717702

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