O-Band Emitting InAs Quantum Dots Grown by MOCVD on a 300 mm Ge-Buffered Si (001) Substrate
In: ISSN: 2079-4991, 2020
academicJournal
Zugriff:
International audience ; The epitaxy of III-V semiconductors on silicon substrates remains challenging because of lattice parameter and material polarity differences. In this work, we report on the Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) and characterization of InAs/GaAs Quantum Dots (QDs) epitaxially grown on quasi-nominal 300 mm Ge/Si(001) and GaAs(001) substrates. QD properties were studied by Atomic Force Microscopy (AFM) and Photoluminescence (PL) spectroscopy. A wafer level µPL mapping of the entire 300 mm Ge/Si substrate shows the homogeneity of the three-stacked InAs QDs emitting at 1.30 +/- 0.04 µm at room temperature. The correlation between PL spectroscopy and numerical modeling revealed, in accordance with transmission electron microscopy images, that buried QDs had a truncated pyramidal shape with base sides and heights around 29 and 4 nm, respectively. InAs QDs on Ge/Si substrate had the same shape as QDs on GaAs substrates, with a slightly increased size and reduced luminescence intensity. Our results suggest that 1.3 µm emitting InAs QDs quantum dots can be successfully grown on CMOS compatible Ge/Si substrates.
| Titel: |
O-Band Emitting InAs Quantum Dots Grown by MOCVD on a 300 mm Ge-Buffered Si (001) Substrate
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| Autor/in / Beteiligte Person: | Abouzaid, Oumaima ; Mehdi, Hussein ; Martin, Mickael ; Moeyaert, Jérémy ; Salem, Bassem ; David, Sylvain ; Souifi, Abdelkader ; Chauvin, Nicolas ; Hartmann, Jean-Michel ; Ilahi, Bouraoui ; Morris, Denis ; Ahaitouf, Ali ; Ahaitouf, Abdelaziz ; Baron, Thierry ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA) ; Université Sidi Mohamed Ben Abdellah (USMBA) ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL) ; Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) ; Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2) ; Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA) ; Faculté Polydisciplinaire Taza, Université Sidi Mohammed Ben Abdellah ; ANR-10-EQPX-0033,IMPACT,Caractérisation et Test In-situ des Matériaux, Procédés et des Architectures(2010) |
| Link: | |
| Zeitschrift: | ISSN: 2079-4991, 2020 |
| Veröffentlichung: | HAL CCSD ; MDPI, 2020 |
| Medientyp: | academicJournal |
| DOI: | 10.3390/nano10122450 |
| Schlagwort: |
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