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Photodissociation of Trimethylindium and Trimethylgallium on GaAs at 193 nm Studied by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy

Shogen, Satoshi ; Ohashi, Masafumi ; et al.
In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 32 (1993-06-01), Heft 6, S. 3099-3099
Online serialPeriodical

Titel:
Photodissociation of Trimethylindium and Trimethylgallium on GaAs at 193 nm Studied by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy
Autor/in / Beteiligte Person: Shogen, Satoshi ; Ohashi, Masafumi ; Hashimoto, Satoshi ; Yutaka Matsumi, Yutaka Matsumi ; Masahiro Kawasaki, Masahiro Kawasaki
Link:
Zeitschrift: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 32 (1993-06-01), Heft 6, S. 3099-3099
Veröffentlichung: 1993
Medientyp: serialPeriodical
ISSN: 0021-4922 (print) ; 1347-4065 (print)
DOI: 10.1143/JJAP.32.3099
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: Supplemental Index
  • Sprachen: English

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