Ultrathin barrier AlGaN/GaN hybrid-anode-diode with MOCVD in-situ Si<subscript>3</subscript>N<subscript>4</subscript>-cap and LPCVD-Si<subscript>3</subscript>N<subscript>4</subscript> bilayer passivation stack for dynamic characteristic improvement.

Zhou, Qi ; Yang, Xiu ; et al.

In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 56 (2020-07-23), Heft 15, S. 789-791

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Titel:	Ultrathin barrier AlGaN/GaN hybrid-anode-diode with MOCVD in-situ Si<subscript>3</subscript>N<subscript>4</subscript>-cap and LPCVD-Si<subscript>3</subscript>N<subscript>4</subscript> bilayer passivation stack for dynamic characteristic improvement.
Autor/in / Beteiligte Person:	Zhou, Qi ; Yang, Xiu ; Zhu, Liyang ; Chen, Kuangli ; Han, Xiaoqi ; Luo, Zhihua ; Zhou, Chunhua ; Chen, Wanjun ; Zhang, Bo
Link:	Zum Volltext
Zeitschrift:	Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 56 (2020-07-23), Heft 15, S. 789-791
Veröffentlichung:	2020
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0013-5194 (print)
DOI:	10.1049/el.2020.0432
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Business Source Ultimate Sprachen: English

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